G-33D8型高精密雙面光刻機

一、主要用途與特點

本設備用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產，找平機構（三點找平）極為突出，找平力極小，這帶來諸多顯著效果：一是在基片曝光操作上適用性廣泛，各類常規(guī)基片曝光時，本機均可穩(wěn)定、從容應對，保障曝光工作順利。其次，本機應對特殊基片時表現(xiàn)明顯，如質地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時不會被損壞就可完成曝光；對非圓形基片、小型基片這種特殊的、對精度要求高的基片，本機也能..完成曝光，滿足曝光需求。

二、主要性能指標

1 、曝光類型：雙面對準單面曝光；

2 、曝光面積：210mmx210mm；

3 、曝光強度：≤30mw/cm²，（測量儀器：光強計；測量方法：紫外線照度計測量）；

4 、曝光照度均勻性： ≥96%  (Φ208mm范圍內）；紫外光束角：≤3?（測量儀器：光強計；測量方法：逐點檢測法。）；

5 、紫外光源：LED ，紫外光中心波長：365nm，光源質保期：1 年；

6 、曝光模式：可以正反對準，正面套刻曝光；

7 、曝光方式：密著曝光，可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

8 、曝光分辨率：≤3 μm  (Φ 208mm 范圍內）；

9 、對準范圍：X、Y≤±3mm，Q ≤±3 ° , X,X 方向平移精度≤1um，Q 轉調節(jié)精 度≤0.5 °，對準精度：正面≤2 μm ；反面≤4 μm；

10 、載物臺 x,y 平面移動精度≤1um；

11 、 對準方式：手動；

12 、接觸－分離漂移：≤2 μm ；分離量；0～50μm 可調；

13 、具有三點自動找平功能，找平精度≤3um；

14 、顯微系統(tǒng)：

1) 正面對準采用雙視場 CCD 立式顯微鏡，總放大倍數(shù)觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為： 1.6 × 57=91倍（小倍數(shù)），10×57=570倍（大倍數(shù)），連續(xù)調節(jié)。兩個顯微鏡間距可以調節(jié)（通過模組調節(jié)）調整范圍 Y： -100～-30mm ，30～100mm  X： ±100mm；顯微鏡 X,Y 位置通過觸摸屏預先數(shù)字設置；

2) 反面對準采用雙視場 CCD 臥式顯微鏡?？偡糯蟊稊?shù)為 57-400 倍連續(xù)變焦，顯微鏡調 整范圍:  Y：-80～-30mm ，30～80mm  X：±3mm,Z≤3mm ，通過千分尺實現(xiàn)移動；

15 、配置掩模版架： 9 ″ ×9 ″；

16 、配置基片載物臺： φ8 ″；

17 、配有無油靜音真空泵和無油靜音空壓機；

18 、尺寸和重量：

尺寸：機體 1300 mm（長） ×720 mm（寬） × 1900mm（高）；

重量：≤200Kg；

19 、G-33D8 型光刻機的組成：

由主機（含機體和工作臺），對準用單筒顯微鏡，LED 紫外曝光頭組成；

20 、附件如下：

a. 主機附件：（出廠時安裝到機器上）；

1) 9" □型掩版夾盤：

用于Φ8"基片的真空夾持承片臺；

b. 顯微鏡組成：

(1)單筒顯微鏡二個；

(2)兩個 CCD；

(3)視頻連接線；

(4)計算機和19"液晶監(jiān)視器；