光刻機可能大多數(shù)人都不了解，它是我們制作芯片的重要裝備。對于芯片也是制約一個**科技，設(shè)備發(fā)展的重要因素。下面就隨著四川光刻機公司一起來看看中科院研究出新型紫外超分辨光刻機這一突破中間發(fā)生的一些小故事和這一設(shè)備誕生的歷程。

經(jīng)過近七年艱苦攻關(guān)，“超分辨光刻裝備研制”項目通過驗收。這意味著，現(xiàn)在中國有了“**上首臺分辨力紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備”。

換句話說，我國科學家研制成功了一種非常強大的光刻機。

光刻機，那可是芯片制造的核心裝備。我國一直在芯片行業(yè)受制于人，在光刻機領(lǐng)域更是如此，時常遭遇國外掐脖子、禁售等種種制約。

對于這次的突破，驗收**組的意見是：

“該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光線寬分辨力達到22納米。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過國外相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)壁壘?！?/span>

消息一出，很多人都紛紛稱贊，但大多數(shù)都是不明覺厲，當然也有人說是吹牛。這個消息背后，到底意味著什么呢？

這個突破亮點很多，其中值得關(guān)注的有幾個點，量子位簡單總結(jié)如下：

光源：粗刀刻細線

這個國產(chǎn)的光刻機，采用365納米波長光源，屬于近紫外的范圍。

通常情況下，為了追求更小的納米工藝，光刻機廠商的解決方案是，使用波長越來越短的光源。ASML就是這種思路。

現(xiàn)在國外使用*廣泛的光刻機的光源為193納米波長深紫外激光，光刻分辨力只有38納米，約0.27倍曝光波長。

這臺國產(chǎn)光刻機，可以做到22納米。而且，“結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10納米級別的芯片”。

也就是說，中科院光電所研發(fā)的這臺光刻機，用波長更長（近紫外）、成本更低（汞燈）的光源，實現(xiàn)了更高的光刻分辨力（0.06倍曝光波長）。

項目副總設(shè)計師、中科院光電技術(shù)研究所研究員胡松在接受《中國科學報》采訪時，打了一個比方：“這相當于我們用很粗的刀，刻出一條很細的線?！边@就是所謂的突破分辨力衍射極限。

因此，它也被稱為**上首臺分辨力的紫外超分辨光刻裝備。

成本：高端設(shè)備“白菜價”

波長越短，成本越高。

為獲得更高分辨力，傳統(tǒng)上采用縮短光波、增加成像系統(tǒng)數(shù)值孔徑等技術(shù)路徑來改進光刻機，但問題在于不僅技術(shù)難度極高，裝備成本也極高。

ASML第五代光刻機使用波長更短的13.5納米極紫外光（EUV），用于實現(xiàn)14納米、10納米、及7納米制程的芯片生產(chǎn)。

一臺這樣的光刻機售價1億美元以上。

而中科院光電所這臺設(shè)備，使用波長更長、更普通的紫外光，意味著國產(chǎn)光刻機使用低成本光源，實現(xiàn)了更高分辨力的光刻。

有網(wǎng)友評價稱，中國造的光刻機說不定和其他被中國攻克的高科技設(shè)備一樣，以后也成了白菜價。

突破：破局禁運，彎道超車

這臺光刻機的出現(xiàn)，還有另一個重要的意義。

這里我們引用央廣的報道：

“超分辨光刻裝備項目的順利實施，打破了國外在高端光刻裝備領(lǐng)域的壟斷，為納米光學加工提供了全新的解決途徑，也為新一代信息技術(shù)、新材料、生物醫(yī)療等**戰(zhàn)略技術(shù)領(lǐng)域，基礎(chǔ)**和國防安全提供了核心技術(shù)保障。

項目副總設(shè)計師、中科院光電技術(shù)研究所研究員胡松介紹：“**個首先表現(xiàn)于我們現(xiàn)在的水平和**上已經(jīng)可以達到持一致的水平。分辨率的指標實際上也是屬于國外禁運的一個指標，我們這項目出來之后對打破禁運有很大的幫助。”

“第二個如果國外禁運我們也不用怕，因為我們這個技術(shù)再走下去，我們認為可以有**。在芯片未來發(fā)展、下一代光機電集成芯片或者我們說的廣義芯片（研制領(lǐng)域），有可能彎道超車走在更前面?！?/span>

局限

當然，我們也不能頭腦發(fā)熱。

這個設(shè)備的出現(xiàn)，并不意味著我國的芯片制造立刻就能突飛猛進。一方面，芯片制造是一個龐大的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，另一方面中科院光電所的光刻機還有一定的局限。

據(jù)介紹，目前這個裝備已制備出一系列納米功能器件，包括大口徑薄膜鏡、超導納米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、生化傳感芯片、超表面成像器件等，驗證了該裝備納米功能器件加工能力，已達到實用化水平。

也就是說，目前主要是一些光學等領(lǐng)域的器件。

不過也有知乎網(wǎng)友表示“以目前的技術(shù)能力，只能做周期的線條和點陣，是無法制作復雜的IC需要的圖形的”。

這一技術(shù)被指“在短期內(nèi)是無法應(yīng)用于IC制造領(lǐng)域的，是無法撼動ASML在IC制造領(lǐng)域分毫的……但形成了一定的威脅，長期還是有可能取得更重要的突破的?！?/span>

中國光刻機制造落后現(xiàn)狀

目前**上生產(chǎn)光刻機的主要廠商有荷蘭的ASML、日本的尼康、佳能。其中，數(shù)ASML技術(shù)很**。

國內(nèi)也有生產(chǎn)光刻機的公司，比如上海微電子裝備，但技術(shù)水平遠遠落后于ASML。

上海微電子裝備目前生產(chǎn)的光刻機僅能加工90納米工藝制程芯片，這已經(jīng)是國產(chǎn)光刻機高水平。而ASML已經(jīng)量產(chǎn)7納米制程EUV光刻機，至少存在著十幾年的技術(shù)差距。

光刻機是制造芯片的核心裝備，過去一直是中國的技術(shù)弱項。光刻機的水平嚴重制約著中國芯片技術(shù)的發(fā)展。我們一直在被“卡脖子”。

國內(nèi)的芯片制造商中芯**、長江存儲等廠商不得不高價從ASML買入光刻機。

今年5月，日經(jīng)亞洲評論曾報道，中芯**向**半導體設(shè)備大廠ASML下單了一臺1.2億美元的EUV光刻機，預計將于2019年初交貨。

另外，長江存儲今年也從ASML買入一臺浸潤式光刻機，售價高達7200萬美元。

那么，所謂的光刻機到底是啥？

光刻機原理

光刻機，芯片制造的核心設(shè)備之一。中科院光電所的胡松、賀曉棟在《中科院之聲》發(fā)表的一篇文章中這樣介紹它的重要性：

“后工業(yè)時代包括現(xiàn)在的工業(yè)3.0、工業(yè)4.0，都以芯片為基礎(chǔ)，光刻機作為制造芯片的工具，就相當于工業(yè)時代的機床，前工業(yè)時代的人手。

但比較特殊的是，光刻機以光為“刀具”。具體來說，工藝流程大致是這樣的：

“在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線透過掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。

此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了電路圖從掩模到硅片的轉(zhuǎn)移。”

這只是一個簡化的過程，通常情況下，想要用光刻機制造出一個芯片，需要在極其細微的結(jié)構(gòu)上進行上百次套刻和數(shù)千道工藝，需要幾百種設(shè)備才能完成。

這次中科院研制成功的光刻機，能力達到了22納米。這是什么概念呢？中科院的文章中提到了一個對比：

“頭發(fā)的直徑約為80微米，22納米是頭發(fā)直徑的1/3600。也就是說，這個光刻機能夠在頭發(fā)表面加工各種復雜的結(jié)構(gòu)?！?/span>

這臺光刻機，是誰研發(fā)出來的？

中科院光電所的7年探索

這臺光刻機背后的研究機構(gòu)是中科院光電所。

帶頭完成這項研發(fā)任務(wù)的，是中科院光電所所長、超分辨光刻裝備項目首席科學家、中國科學院大學教授&博導羅先剛研究員。

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